Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB150N3LH6
STB150N3LH6 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB150N3LH6

Номер детали производителя STB150N3LH6
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 76146 pcs
Техническая спецификация STB150N3LH6D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Multiple Devices 01/Aug/2014IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.044 $0.938 $0.754 $0.62
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 76146 STMicroelectronics STB150N3LH6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 110W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта STB150N

Рекомендуемые продукты

STB150N3LH6 DataSheet PDF

Техническая спецификация