Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SJ649-AZ
Renesas Electronics America Inc

2SJ649-AZ

Номер детали производителя 2SJ649-AZ
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Упаковка TO-220 Isolated Tab
В наличии 6727 pcs
Техническая спецификация Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 6727 Renesas Electronics America Inc 2SJ649-AZ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220 Isolated Tab
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta), 25W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Isolated Tab
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1900 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)
Базовый номер продукта 2SJ649

Рекомендуемые продукты

2SJ649-AZ DataSheet PDF

Техническая спецификация