Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SJ661-DL-1E
onsemi

2SJ661-DL-1E

Номер детали производителя 2SJ661-DL-1E
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Упаковка TO-263-2
В наличии 6625 pcs
Техническая спецификация 2SJ661Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi RoHSMult Dev Assembly Chg 16/Nov/2020
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6625 onsemi 2SJ661-DL-1E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263-2
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 19A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4360 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38A (Ta)
Базовый номер продукта 2SJ661

Рекомендуемые продукты

2SJ661-DL-1E DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SJ661-DL-1E

Связанные детали для 2SJ661-DL-1E