Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SJ635-TL-E
onsemi

2SJ635-TL-E

Номер детали производителя 2SJ635-TL-E
производитель onsemi
Подробное описание 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Упаковка TP
В наличии 282951 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
761
$0.161
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 282951 onsemi 2SJ635-TL-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Ta), 30W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2200 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)

Рекомендуемые продукты

2SJ635-TL-E DataSheet PDF

Ключевые слова для 2SJ635-TL-E

Связанные детали для 2SJ635-TL-E