Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

Номер детали производителя APTGT75A1202G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Упаковка SP2
В наличии 6162 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMult Devices 01/Nov/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 6162 Microsemi Corporation APTGT75A1202G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Поставщик Упаковка устройства SP2
Серии -
Мощность - Макс 357 W
Упаковка / SP2
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.34 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 50 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 110 A
конфигурация Half Bridge

Рекомендуемые продукты

APTGT75A1202G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APTGT75A1202G

Связанные детали для APTGT75A1202G