Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Номер детали производителя APTGT50SK170D1G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
Упаковка D1
В наличии 4125 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 4125 Microsemi Corporation APTGT50SK170D1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1700 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства D1
Серии -
Мощность - Макс 310 W
Упаковка / D1
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 6 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 70 A
конфигурация Single

Рекомендуемые продукты

APTGT50SK170D1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APTGT50SK170D1G

Связанные детали для APTGT50SK170D1G