Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

Номер детали производителя APTGT50H60T2G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 600V 80A 176W SP2
Упаковка SP2
В наличии 3823 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 3823 Microsemi Corporation APTGT50H60T2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства SP2
Серии -
Мощность - Макс 176 W
Упаковка / SP2
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.15 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 250 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 80 A
конфигурация Full Bridge Inverter

Рекомендуемые продукты

APTGT50H60T2G DataSheet PDF

Техническая спецификация