Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSM600D12P4G103
Rohm Semiconductor

BSM600D12P4G103

Номер детали производителя BSM600D12P4G103
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание 1200V, 567A, HALF BRIDGE, FULL S
Упаковка Module
В наличии 92 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$518.636
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 92 Rohm Semiconductor BSM600D12P4G103 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.8V @ 291.2mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 1.78kW (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Box
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 59000pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 567A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel
Базовый номер продукта BSM600

Рекомендуемые продукты

BSM600D12P4G103 DataSheet PDF