Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSM600D12P3G001
Rohm Semiconductor

BSM600D12P3G001

Номер детали производителя BSM600D12P3G001
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
Упаковка Module
В наличии 46 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$732.712
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 46 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 2450W (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 31000pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 600A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта BSM600

Рекомендуемые продукты

BSM600D12P3G001 DataSheet PDF