Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSM600C12P3G201
Rohm Semiconductor

BSM600C12P3G201

Номер детали производителя BSM600C12P3G201
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Упаковка Module
В наличии 71 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
4
$552.881
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 71 Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Vgs (макс.) +22V, -4V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) 2460W (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 28000 pF @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 600A (Tc)
Базовый номер продукта BSM600

Рекомендуемые продукты

BSM600C12P3G201 DataSheet PDF