Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSM080D12P2C008
Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

Номер детали производителя BSM080D12P2C008
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание SIC POWER MODULE-1200V-80A
Упаковка Module
В наличии 288 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$139.66
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 288 Rohm Semiconductor BSM080D12P2C008 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 13.2mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 600W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта BSM080

Рекомендуемые продукты

BSM080D12P2C008 DataSheet PDF

Ключевые слова для BSM080D12P2C008

Связанные детали для BSM080D12P2C008