Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Номер детали производителя BSM10GD120DN2E3224BOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 15A 80W
Упаковка Module
В наличии 1471 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 2/Jul/2020
Справочная цена (В долларах США)
10
$26.293
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 1471 Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 3.2V @ 15V, 10A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Мощность - Макс 80 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура 150°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 530 pF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 400 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 15 A
конфигурация Full Bridge
Базовый номер продукта BSM10G

Рекомендуемые продукты

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Связанные детали для BSM10GD120DN2E3224BOSA1