Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > BSM100GAL120DLCKHOSA1
Infineon Technologies

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Номер детали производителя BSM100GAL120DLCKHOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 205A 835W
Упаковка Module
В наличии 5479 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Substrate Add 17/Aug/2018Mult Dev EOL 12/Mar/2021
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5479 Infineon Technologies BSM100GAL120DLCKHOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.6V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Мощность - Макс 835 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 205 A
конфигурация Single Chopper
Базовый номер продукта BSM100

Рекомендуемые продукты

BSM100GAL120DLCKHOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSM100GAL120DLCKHOSA1

Связанные детали для BSM100GAL120DLCKHOSA1