Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTU02N50D
IXYS

IXTU02N50D

Номер детали производителя IXTU02N50D
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Упаковка TO-251AA
В наличии 156696 pcs
Техническая спецификация IXT(P,U,Y)02N50D
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.706 $0.636 $0.511 $0.42 $0.348 $0.324 $0.312 $0.304
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 156696 IXYS IXTU02N50D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251AA
Серии Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30Ohm @ 50mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 120 pF @ 25 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200mA (Tc)
Базовый номер продукта IXTU02

Рекомендуемые продукты

IXTU02N50D DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTU02N50D

Связанные детали для IXTU02N50D