Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTU01N100D
IXYS

IXTU01N100D

Номер детали производителя IXTU01N100D
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
Упаковка TO-251AA
В наличии 6211 pcs
Техническая спецификация IXT(P,U,Y)01N100D
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 6211 IXYS IXTU01N100D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251AA
Серии Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 100 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 400mA (Tc)
Базовый номер продукта IXTU01

Рекомендуемые продукты

IXTU01N100D DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTU01N100D

Связанные детали для IXTU01N100D