Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTV200N10TS
IXYS

IXTV200N10TS

Номер детали производителя IXTV200N10TS
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
Упаковка PLUS-220SMD
В наличии 5466 pcs
Техническая спецификация IXTV200N10T(S)Multiple Devices 22/Feb/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5466 IXYS IXTV200N10TS в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS-220SMD
Серии TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 550W (Tc)
Упаковка / PLUS-220SMD
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 152 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)
Базовый номер продукта IXTV200

Рекомендуемые продукты

IXTV200N10TS DataSheet PDF

Техническая спецификация