Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTN120P20T
IXYS

IXTN120P20T

Номер детали производителя IXTN120P20T
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Упаковка SOT-227B
В наличии 2477 pcs
Техническая спецификация IXTN120P20T
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$19.956 $18.747 $16.811
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 2477 IXYS IXTN120P20T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±15V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-227B
Серии TrenchP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 830W (Tc)
Упаковка / SOT-227-4, miniBLOC
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 73000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 740 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 106A (Tc)
Базовый номер продукта IXTN120

Рекомендуемые продукты

IXTN120P20T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTN120P20T

Связанные детали для IXTN120P20T