Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTM40N30
IXYS

IXTM40N30

Номер детали производителя IXTM40N30
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE
Упаковка TO-204AE
В наличии 4328 pcs
Техническая спецификация IXTH(35,40)N30, IXTM40N30
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4328 IXYS IXTM40N30 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-204AE
Серии GigaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-204AE
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
Базовый номер продукта IXTM40

Рекомендуемые продукты

IXTM40N30 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTM40N30

Связанные детали для IXTM40N30