Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IXTL2X200N085T
IXYS

IXTL2X200N085T

Номер детали производителя IXTL2X200N085T
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
Упаковка ISOPLUSi5-Pak™
В наличии 5774 pcs
Техническая спецификация IXTL2X200N085TIXT Series 30/Oct/2012
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5774 IXYS IXTL2X200N085T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ISOPLUSi5-Pak™
Серии TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
Мощность - Макс 150W
Упаковка / ISOPLUSi5-Pak™
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 152nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 85V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 112A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IXTL2X200

Рекомендуемые продукты

IXTL2X200N085T DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTL2X200N085T

Связанные детали для IXTL2X200N085T