Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFR32N100P
IXFR32N100P Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFR32N100P

Номер детали производителя IXFR32N100P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Упаковка ISOPLUS247™
В наличии 3699 pcs
Техническая спецификация IXFR32N100P
Справочная цена (В долларах США)
30
$9.175
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 3699 IXYS IXFR32N100P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ISOPLUS247™
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 320W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 14200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 225 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта IXFR32

Рекомендуемые продукты

IXFR32N100P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFR32N100P

Связанные детали для IXFR32N100P