Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFR21N100Q
IXFR21N100Q Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFR21N100Q

Номер детали производителя IXFR21N100Q
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Упаковка ISOPLUS247™
В наличии 5796 pcs
Техническая спецификация IXFR21N100Q
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5796 IXYS IXFR21N100Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ISOPLUS247™
Серии HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 350W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5900 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта IXFR21

Рекомендуемые продукты

IXFR21N100Q DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFR21N100Q

Связанные детали для IXFR21N100Q