Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFR58N20
IXFR58N20 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IXFR58N20

Номер детали производителя IXFR58N20
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Упаковка ISOPLUS247™
В наличии 6864 pcs
Техническая спецификация IXFR 58N20Q
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 6864 IXYS IXFR58N20 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ISOPLUS247™
Серии HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3600 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IXFR58

Рекомендуемые продукты

IXFR58N20 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFR58N20

Связанные детали для IXFR58N20