Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFB60N80P
IXYS

IXFB60N80P

Номер детали производителя IXFB60N80P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Упаковка PLUS264™
В наличии 4454 pcs
Техническая спецификация IXFB60N80P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$10.44 $9.628 $8.222
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4454 IXYS IXFB60N80P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS264™
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1250W (Tc)
Упаковка / TO-264-3, TO-264AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 18000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта IXFB60

Рекомендуемые продукты

IXFB60N80P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFB60N80P

Связанные детали для IXFB60N80P