Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFB38N100Q2
IXYS

IXFB38N100Q2

Номер детали производителя IXFB38N100Q2
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Упаковка PLUS264™
В наличии 5389 pcs
Техническая спецификация IXFB38N100Q2
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 5389 IXYS IXFB38N100Q2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS264™
Серии HiPerFET™, Q2 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 890W (Tc)
Упаковка / TO-264-3, TO-264AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 13500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38A (Tc)
Базовый номер продукта IXFB38

Рекомендуемые продукты

IXFB38N100Q2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFB38N100Q2

Связанные детали для IXFB38N100Q2