Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXFB210N20P
IXYS

IXFB210N20P

Номер детали производителя IXFB210N20P
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Упаковка PLUS264™
В наличии 4029 pcs
Техническая спецификация IXFB210N20P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$13.506 $12.457 $10.638
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 4029 IXYS IXFB210N20P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PLUS264™
Серии HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1500W (Tc)
Упаковка / TO-264-3, TO-264AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 18600 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 255 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 210A (Tc)
Базовый номер продукта IXFB210

Рекомендуемые продукты

IXFB210N20P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXFB210N20P

Связанные детали для IXFB210N20P