IGT5E10CS
| Номер детали производителя | IGT5E10CS |
|---|---|
| производитель | Harris Corporation |
| Подробное описание | N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP |
| Упаковка | Bulk |
| В наличии | 83679 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 197 |
|---|
| $0.553 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 83679 Harris Corporation IGT5E10CS в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Серии | * |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Bulk |
Рекомендуемые продукты
-
IGT250
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT247
INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR, 18MMifm efector, inc. -
IGT60R070D1E8220ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT5259CW50
GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BANDIntegra Technologies Inc. -
IGT60R070D1ATMA4
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IGT60R190D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT249
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT40R070D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT40R070D1E8220ATMA1
MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3Infineon Technologies -
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT203
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT60R042D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT2731M130
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BANDIntegra Technologies Inc. -
IGT202
INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR, 18MMifm efector, inc. -
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT205
INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR, 18MMifm efector, inc.