Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IGT60R070D1ATMA4
Infineon Technologies

IGT60R070D1ATMA4

Номер детали производителя IGT60R070D1ATMA4
производитель Infineon Technologies
Подробное описание GANFET N-CH
Упаковка PG-HSOF-8-3
В наличии 12489 pcs
Техническая спецификация Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$6.047 $5.557 $4.693 $4.175 $3.829
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 12489 Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA4 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Vgs (макс.) -10V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства PG-HSOF-8-3
Серии CoolGaN™
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / 8-PowerSFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 380 pF @ 400 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 31A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IGT60R070D1ATMA4 DataSheet PDF

Техническая спецификация