IGT60R070D1E8220ATMA1
| Номер детали производителя | IGT60R070D1E8220ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GAN HV |
| Упаковка | PG-HSOF-8-3 |
| В наличии | 6112 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6112 Infineon Technologies IGT60R070D1E8220ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-HSOF-8-3 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerSFN |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT60R042D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT5259CW50
GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BANDIntegra Technologies Inc. -
IGT5E10CS
N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APPHarris Corporation -
IGT6D21
20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT6E10
10A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT60R070D1ATMA4
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IGT6E2121
N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APPHarris Corporation -
IGT250
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT6D20
20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT249
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT6E21
20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT40R070D1E8220ATMA1
MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3Infineon Technologies -
IGT60R190D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT6D10
10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT40R070D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT6D11
10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT6E20
20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT2731M130
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BANDIntegra Technologies Inc.