HGTA32N60E2
Номер детали производителя | HGTA32N60E2 |
---|---|
производитель | Harris Corporation |
Подробное описание | 32A, 600V N-CHANNEL IGBT |
Упаковка | TO-218-5 |
В наличии | 8405 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
27 |
---|
$4.139 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 8405 Harris Corporation HGTA32N60E2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 600 V |
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.9V @ 15V, 32A |
режим для испытаний | - |
Td (вкл / выкл) при 25 ° C | - |
Переключение энергии | - |
Поставщик Упаковка устройства | TO-218-5 |
Серии | - |
Мощность - Макс | 208 W |
Упаковка / | TO-218-5 |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Тип ввода | Standard |
Тип IGBT | - |
Заряд затвора | 265 nC |
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 200 A |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 50 A |
Рекомендуемые продукты
-
HGTD1N120BNS9A
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAonsemi -
HGT1S7N60C3D
IGBT, 14A, 600V, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S7N60C3DS
IGBT 600V 14A 60W TO263ABonsemi -
HGTD3N60A4S
IGBT, 17A, 600V, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S7N60C3DS9A
IGBT 600V 14A 60W TO263ABonsemi