Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > HGT1S3N60A4DS9A
Fairchild Semiconductor

HGT1S3N60A4DS9A

Номер детали производителя HGT1S3N60A4DS9A
производитель Fairchild Semiconductor
Подробное описание N-CHANNEL IGBT
Упаковка D2PAK (TO-263)
В наличии 63710 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
167
$0.678
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 63710 Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.7V @ 15V, 3A
режим для испытаний 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 6ns/73ns
Переключение энергии 37µJ (on), 25µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK (TO-263)
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 29 ns
Мощность - Макс 70 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Заряд затвора 21 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 40 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 17 A

Рекомендуемые продукты

HGT1S3N60A4DS9A DataSheet PDF

Ключевые слова для HGT1S3N60A4DS9A

Связанные детали для HGT1S3N60A4DS9A