Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > HGTD8P50G1S

HGTD8P50G1S

Номер детали производителя HGTD8P50G1S
производитель Harris Corporation
Подробное описание 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Упаковка TO-252AA
В наличии 134731 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
381
$0.318
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 134731 Harris Corporation HGTD8P50G1S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 500 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.9V @ 15V, 3A
режим для испытаний -
Td (вкл / выкл) при 25 ° C -
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии -
Мощность - Макс 66 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Заряд затвора 30 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 18 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 12 A

Рекомендуемые продукты

HGTD8P50G1S DataSheet PDF

Ключевые слова для HGTD8P50G1S

Связанные детали для HGTD8P50G1S