GT090N06S
| Номер детали производителя | GT090N06S |
|---|---|
| производитель | Goford Semiconductor |
| Подробное описание | N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V, |
| Упаковка | 8-SOP |
| В наличии | 468863 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 4000 |
|---|
| $0.095 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 468863 Goford Semiconductor GT090N06S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.1W (Tc) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1378 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
GT0937-120
SHAFT, 0.0937 DIA. X 12IN LGOndrives.US Corp -
GT0781-90
SHAFT, 0.0781 DIA. X 9IN LGOndrives.US Corp -
GT080N10K
N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, TGoford Semiconductor -
GT080N10KI
N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5VGoford Semiconductor -
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0Goford Semiconductor -
GT080N10T
N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0Goford Semiconductor -
GT090N06D52
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@Goford Semiconductor -
GT0937-180
SHAFT, 0.0937 DIA. X 18IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-40
SHAFT, 0.0937 DIA. X 4IN LGOndrives.US Corp -
GT088N06T
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@Goford Semiconductor -
GT080N10TI
N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5VGoford Semiconductor -
GT0937-90
SHAFT, 0.0937 DIA. X 9IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-70
SHAFT, 0.0937 DIA. X 7IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-30
SHAFT, 0.0937 DIA. X 3IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-60
SHAFT, 0.0937 DIA. X 6IN LGOndrives.US Corp -
GT080N10M
N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,Goford Semiconductor -
GT0937-50
SHAFT, 0.0937 DIA. X 5IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-240
SHAFT, 0.0937 DIA. X 24IN LGOndrives.US Corp -
GT0937-360
SHAFT, 0.0937 DIA. X 36IN LGOndrives.US Corp -
GT090N06K
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252Goford Semiconductor