GT090N06K
Номер детали производителя
GT090N06K
производитель
Goford Semiconductor
Подробное описание
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Упаковка
TO-252
В наличии
265745 pcs
Техническая спецификация
GT090N06K
Справочная цена (В долларах США)
1
10
100
500
1000
$0.322
$0.283
$0.217
$0.172
$0.137
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 265745 Goford Semiconductor GT090N06K в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-252
Серии
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)
52W (Tc)
Упаковка /
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Свойства продукта
Значение атрибута
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки
Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1088 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)
60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
45A (Tc)
Рекомендуемые продукты
GT090N06D52
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Goford Semiconductor
GT080N10KI
N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Goford Semiconductor
GT0937-60
SHAFT, 0.0937 DIA. X 6IN LG
Ondrives.US Corp
GT088N06T
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Goford Semiconductor
GT0937-240
SHAFT, 0.0937 DIA. X 24IN LG
Ondrives.US Corp
GT080N10M
N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Goford Semiconductor
GT080N10TI
N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Goford Semiconductor
GT0937-50
SHAFT, 0.0937 DIA. X 5IN LG
Ondrives.US Corp
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Goford Semiconductor
GT090N06S
N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Goford Semiconductor
GT080N10K
N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Goford Semiconductor
GT0781-70
SHAFT, 0.0781 DIA. X 7IN LG
Ondrives.US Corp
GT0937-30
SHAFT, 0.0937 DIA. X 3IN LG
Ondrives.US Corp
GT0937-40
SHAFT, 0.0937 DIA. X 4IN LG
Ondrives.US Corp
GT0937-70
SHAFT, 0.0937 DIA. X 7IN LG
Ondrives.US Corp
GT080N10T
N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Goford Semiconductor
GT0937-360
SHAFT, 0.0937 DIA. X 36IN LG
Ondrives.US Corp
GT0937-120
SHAFT, 0.0937 DIA. X 12IN LG
Ondrives.US Corp
GT0937-180
SHAFT, 0.0937 DIA. X 18IN LG
Ondrives.US Corp
GT0781-90
SHAFT, 0.0781 DIA. X 9IN LG
Ondrives.US Corp
Техническая спецификация
DataShieT File обзор