Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > GT090N06D52
Goford Semiconductor

GT090N06D52

Номер детали производителя GT090N06D52
производитель Goford Semiconductor
Подробное описание N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Упаковка 8-DFN (4.9x5.75)
В наличии 284675 pcs
Техническая спецификация GT090N06D52
Справочная цена (В долларах США)
5000 15000 30000 50000
$0.162 $0.149 $0.134 $0.124
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 284675 Goford Semiconductor GT090N06D52 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DFN (4.9x5.75)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 14A, 10V
Мощность - Макс 62W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1620pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта GT090N06

Рекомендуемые продукты

GT090N06D52 DataSheet PDF

Техническая спецификация