Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTD113EUF
NXP USA Inc.

PDTD113EUF

Номер детали производителя PDTD113EUF
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PDTD113EUF - SMALL
Упаковка SOT-323
В наличии 6536 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 6536 NXP USA Inc. PDTD113EUF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-323
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 1 kOhms
Резистор - основание (R1) 1 kOhms
Мощность - Макс 300 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 225 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта PDTD113

Рекомендуемые продукты

PDTD113EUF DataSheet PDF

Ключевые слова для PDTD113EUF

Связанные детали для PDTD113EUF