Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTD113ET,215

Номер детали производителя PDTD113ET,215
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Упаковка TO-236AB
В наличии 1457994 pcs
Техническая спецификация PDTD113E SeriesLabel Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Multiple Parts 07/Jul/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.123 $0.102 $0.054 $0.036 $0.024
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 1457994 Nexperia USA Inc. PDTD113ET,215 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства TO-236AB
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 1 kOhms
Резистор - основание (R1) 1 kOhms
Мощность - Макс 250 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта PDTD113

Рекомендуемые продукты

PDTD113ET,215 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PDTD113ET,215

Связанные детали для PDTD113ET,215