PDTD123EK,115

Номер детали производителя	PDTD123EK,115
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Упаковка	SMT3; MPAK
В наличии	4920 pcs
Техническая спецификация	PDTD123E Series

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4920 NXP Semiconductors / Freescale PDTD123EK,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор	NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	SMT3; MPAK
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	2.2 kOhms
Резистор - основание (R1)	2.2 kOhms
Мощность - Макс	250mW
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Свойства продукта	Значение атрибута
Другие названия	934058967115 PDTD123EK T/R PDTD123EK T/R-ND
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Номер базового номера	PDTD123