HGT1S12N60C3DS
| Номер детали производителя | HGT1S12N60C3DS |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL |
| Упаковка | TO-263AB |
| В наличии | 44460 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 143 |
|---|
| $0.74 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 44460 Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 600 V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| режим для испытаний | - |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | - |
| Переключение энергии | - |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 32 ns |
| Мощность - Макс | 104 W |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | - |
| Заряд затвора | 71 nC |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 96 A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 24 A |
Рекомендуемые продукты
-
HGT1S14N36G3VLS
IGBT 390V 18A 100W TO263ABonsemi -
HGT1S12N60B3S
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S12N60C3S9AR4501
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S14N41G3VLS
IGBT, 25A, 445V, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60C3
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S12N60A4DS
IGBT 600V 54A 167W D2PAKonsemi -
HGT1S12N60B3DS
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/Harris Corporation -
HGT1S12N60C3R
24A, 600V N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S14N36G3VLT
N-CHANNEL IGBTFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60A4DS
IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2Fairchild Semiconductor -
HGT1S14N41G3VLT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60C3D
24A, 600V, N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S14N36G3VLT
IGBT 390V 18A 100W TO262AAonsemi -
HGT1S15N120C3S
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S12N60A4S9A
IGBT 600V 54A 167W TO263ABonsemi -
HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263ABonsemi -
HGT1S15N120C3
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S12N60B3
27A, 600V, N-CHANNEL IGBTHarris Corporation -
HGT1S14N36G3VLT_NL
IGBT, 18A, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60B3D
27A, 600V, N-CHANNEL IGBTHarris Corporation