Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HGT1S12N60A4S9A

Номер детали производителя HGT1S12N60A4S9A
производитель onsemi
Подробное описание IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 3810 pcs
Техническая спецификация HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9Aonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 3810 onsemi HGT1S12N60A4S9A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.7V @ 15V, 12A
режим для испытаний 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 17ns/96ns
Переключение энергии 55µJ (on), 50µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии -
Мощность - Макс 167 W
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Заряд затвора 78 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 96 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 54 A
Базовый номер продукта HGT1S12

Рекомендуемые продукты

HGT1S12N60A4S9A DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для HGT1S12N60A4S9A

Связанные детали для HGT1S12N60A4S9A