FQB3N30TM
| Номер детали производителя | FQB3N30TM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 197565 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 683 |
|---|
| $0.17 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 197565 Fairchild Semiconductor FQB3N30TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 300 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB33N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB34N20TM-AM002
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKonsemi -
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAKonsemi -
FQB3N90TM
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAKonsemi -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKonsemi -
FQB3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAKonsemi -
FQB34N20TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor