FQB3N90TM
Номер детали производителя | FQB3N90TM |
---|---|
производитель | onsemi |
Подробное описание | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK |
Упаковка | D²PAK (TO-263) |
В наличии | 4123 pcs |
Техническая спецификация | onsemi RoHSFQB3N90, FQI3N90 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4123 onsemi FQB3N90TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
Серии | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 900 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Базовый номер продукта | FQB3 |
Рекомендуемые продукты
-
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKonsemi -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAKonsemi -
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAKonsemi -
FQB45N15V2TM
MOSFET N-CH 150V 45A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB46N15TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB47P06TM-AM002
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAKonsemi -
FQB44N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4Fairchild Semiconductor -
FQB3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAKonsemi -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB44N10TM
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKonsemi -
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB45N15V2TM
MOSFET N-CH 150V 45A D2PAKonsemi -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKonsemi