FQB34P10TM
| Номер детали производителя | FQB34P10TM |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK |
| Упаковка | D²PAK (TO-263) |
| В наличии | 39535 pcs |
| Техническая спецификация | Postponed Qualification 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FQB34P10 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.146 | $1.031 | $0.828 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 39535 onsemi FQB34P10TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16.75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2910 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQB34P10 |
Рекомендуемые продукты
-
FQB34N20TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB33N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKonsemi -
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB34N20TM-AM002
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB32N20CTM
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKonsemi -
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi