FDMS4435BZ
Номер детали производителя | FDMS4435BZ |
---|---|
производитель | Fairchild Semiconductor |
Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
Упаковка | 8-PQFN (5x6) |
В наличии | 198184 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
532 |
---|
$0.2 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 198184 Fairchild Semiconductor FDMS4435BZ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±25V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-PQFN (5x6) |
Серии | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Bulk |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2050 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta), 18A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDMS3668S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS3686S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56onsemi -
FDMS5352
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDMS3664S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNonsemi -
FDMS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56onsemi -
FDMS3D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFNonsemi -
FDMS512GEC-5700
SD EXPRESS SD 512GB 3D TLC COMMEFlexxon Pte Ltd -
FDMS512MSE-N300
FXPREM III SD 512MB SLC DIAMONDFlexxon Pte Ltd -
FDMS3669S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFNonsemi -
FDMS5352
MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFNonsemi -
FDMS3672
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLPonsemi -
FDMS3669S-SN00345
MOSFET 2N-CH 30Vonsemi -
FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS4D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFNonsemi -
FDMS3672
FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TRFairchild Semiconductor -
FDMS512GEC-T300
FXMAV SD 512GB QLC COMMERCIAL GRFlexxon Pte Ltd -
FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFNonsemi -
FDMS3668S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor