FDMS3669S
| Номер детали производителя | FDMS3669S |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Упаковка | 8-PQFN (5x6) |
| В наличии | 118132 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 352 |
|---|
| $0.346 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 118132 Fairchild Semiconductor FDMS3669S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-PQFN (5x6) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V |
| Мощность - Макс | 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24nC @ 10V, 34nC @ 10V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) |
| конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Базовый номер продукта | FDMS3669 |
Рекомендуемые продукты
-
FDMS3669S-SN00345
MOSFET 2N-CH 30Vonsemi -
FDMS3660S-F121
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFNonsemi -
FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS3668S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS3668S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56onsemi -
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDMS3662
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFNonsemi -
FDMS3662
MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFNonsemi -
FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFNonsemi -
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFNonsemi -
FDMS3D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFNonsemi -
FDMS3672
FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TRFairchild Semiconductor -
FDMS3660S
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56onsemi -
FDMS3686S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56onsemi -
FDMS3664S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56onsemi -
FDMS3660S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDMS3672
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLPonsemi -
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNonsemi -
FDMS3664S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor