Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDMS3660S-F121
onsemi

FDMS3660S-F121

Номер детали производителя FDMS3660S-F121
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Упаковка Power56
В наличии 4764 pcs
Техническая спецификация Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014EOL Notice 22/Feb/2017Logo 17/Aug/2017onsemi RoHSFDMS3660S
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4764 onsemi FDMS3660S-F121 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства Power56
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Мощность - Макс 1W
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1765pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A, 30A
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Базовый номер продукта FDMS3660

Рекомендуемые продукты

FDMS3660S-F121 DataSheet PDF

Техническая спецификация