FDD14AN06LA0
| Номер детали производителя | FDD14AN06LA0 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA |
| Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
| В наличии | 44931 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 129 |
|---|
| $0.956 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 44931 Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.5A (Ta), 50A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDD1600N10ALZD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6onsemi -
FDD10AN06A0Q
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKonsemi -
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKonsemi -
FDD120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAKonsemi -
FDD13AN06A0_F085
MOSFET N-CH 60V 50A DPAKFairchild/ON Semiconductor -
FDD10N20LZTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDD16AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDD13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAKonsemi -
FDD120AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 14A DPAKonsemi -
FDD120AN15A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252onsemi -
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AAonsemi -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FDD16AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AAonsemi -
FDD1600N10ALZD
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4LFairchild Semiconductor -
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKFairchild Semiconductor