FDD13AN06A0_F085
Номер детали производителя | FDD13AN06A0_F085 |
---|---|
производитель | Fairchild/ON Semiconductor |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
Упаковка | |
В наличии | 4107 pcs |
Техническая спецификация | FDD13AN06A0_F085 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild/ON Semiconductor.У нас есть кусочки 4107 Fairchild/ON Semiconductor FDD13AN06A0_F085 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - испытания | 1350pF @ 25V |
Напряжение - Разбивка | TO-252AA |
Vgs (й) (Max) @ Id | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Статус RoHS | Tube |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
поляризация | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
Номер детали производителя | FDD13AN06A0_F085 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 29nC @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4V @ 250µA |
FET Характеристика | N-Channel |
Расширенное описание | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | - |
Описание | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60V |
Коэффициент емкости | 115W (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDD1600N10ALZD
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4LFairchild Semiconductor -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDD120AN15A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FDD1600N10ALZD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6onsemi -
FDD16AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDD16AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAKonsemi -
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252onsemi -
FDD120AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 14A DPAKonsemi -
FDD10AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AAonsemi -
FDD10AN06A0Q
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKonsemi -
FDD120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAKonsemi -
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAFairchild Semiconductor -
FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AAonsemi -
FDD10N20LZTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor