FDD13AN06A0
| Номер детали производителя | FDD13AN06A0 |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 126948 pcs |
| Техническая спецификация | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FDD13AN06A0 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.71 | $0.637 | $0.512 | $0.421 | $0.349 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 126948 onsemi FDD13AN06A0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 115W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FDD13AN06 |
Рекомендуемые продукты
-
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252onsemi -
FDD10N20LZTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD1600N10ALZD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6onsemi -
FDD120AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 14A DPAKonsemi -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAFairchild Semiconductor -
FDD120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAKonsemi -
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AAonsemi -
FDD1600N10ALZD
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4LFairchild Semiconductor -
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FDD10AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AAonsemi -
FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AAonsemi -
FDD13AN06A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDD120AN15A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDD107AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252onsemi -
FDD16AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDD13AN06A0_F085
MOSFET N-CH 60V 50A DPAKFairchild/ON Semiconductor -
FDD10AN06A0Q
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDD1.25-250-100
QUICK CONNECT TERM FEMALE 100PCSRemington Industries