Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMN2013UFX-7
Diodes Incorporated

DMN2013UFX-7

Номер детали производителя DMN2013UFX-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Упаковка W-DFN5020-6
В наличии 530247 pcs
Техническая спецификация DMN2013UFXDiodes Environmental Compliance CertMult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Справочная цена (В долларах США)
3000 6000 15000 30000
$0.104 $0.097 $0.093 $0.09
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 530247 Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства W-DFN5020-6
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Мощность - Макс 2.14W
Упаковка / 6-VFDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2607pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57.4nC @ 8V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта DMN2013

Рекомендуемые продукты

DMN2013UFX-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация