Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMN2012UCA6-7
Diodes Incorporated

DMN2012UCA6-7

Номер детали производителя DMN2012UCA6-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-
Упаковка X3-DSN2718-6
В наличии 185905 pcs
Техническая спецификация Diodes Environmental Compliance CertDMN2012UCA6
Справочная цена (В долларах США)
3000 6000 15000
$0.205 $0.195 $0.187
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 185905 Diodes Incorporated DMN2012UCA6-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства X3-DSN2718-6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 5A, 4.5V
Мощность - Макс 820mW
Упаковка / 6-SMD, No Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2417pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 26nC @ 4V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 24V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта DMN2012

Рекомендуемые продукты

DMN2012UCA6-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация